什么是熱電子效應(yīng)
什么是熱電子效應(yīng)
熱電子效應(yīng)是由于在器件尺寸縮小的過程中，電源電壓不可能和器件尺寸按同樣比例縮小，這樣導(dǎo)致MOS器件內(nèi)部電場增強(qiáng)。當(dāng)MOS器件溝道中的電場強(qiáng)度超過100千伏每厘米時，電子在兩次散射間獲得的能量將可能超過它在散射中失去的能量，從而使一部分電子的能量顯著高于熱平衡時的平均動能而成為熱電子。高能量的熱電子將嚴(yán)重影響MOS器件和電路的可靠性。熱電子效應(yīng)主要表現(xiàn)在以下三個方面，第一方面為熱電子向柵氧化層中發(fā)射，第二方面為熱電子效應(yīng)引起襯底電流，第三方面為熱電子效應(yīng)引起柵電流。
導(dǎo)讀熱電子效應(yīng)是由于在器件尺寸縮小的過程中，電源電壓不可能和器件尺寸按同樣比例縮小，這樣導(dǎo)致MOS器件內(nèi)部電場增強(qiáng)。當(dāng)MOS器件溝道中的電場強(qiáng)度超過100千伏每厘米時，電子在兩次散射間獲得的能量將可能超過它在散射中失去的能量，從而使一部分電子的能量顯著高于熱平衡時的平均動能而成為熱電子。高能量的熱電子將嚴(yán)重影響MOS器件和電路的可靠性。熱電子效應(yīng)主要表現(xiàn)在以下三個方面，第一方面為熱電子向柵氧化層中發(fā)射，第二方面為熱電子效應(yīng)引起襯底電流，第三方面為熱電子效應(yīng)引起柵電流。
熱電子效應(yīng)是由于在器件尺寸縮小的過程中，電源電壓不可能和器件尺寸按同樣比例縮小，這樣導(dǎo)致MOS器件內(nèi)部電場增強(qiáng)。當(dāng)MOS器件溝道中的電場強(qiáng)度超過100千伏每厘米時，電子在兩次散射間獲得的能量將可能超過它在散射中失去的能量，從而使一部分電子的能量顯著高于熱平衡時的平均動能而成為熱電子。高能量的熱電子將嚴(yán)重影響MOS器件和電路的可靠性。熱電子效應(yīng)主要表現(xiàn)在以下三個方面，第一方面為熱電子向柵氧化層中發(fā)射，第二方面為熱電子效應(yīng)引起襯底電流，第三方面為熱電子效應(yīng)引起柵電流。
什么是熱電子效應(yīng)
熱電子效應(yīng)是由于在器件尺寸縮小的過程中，電源電壓不可能和器件尺寸按同樣比例縮小，這樣導(dǎo)致MOS器件內(nèi)部電場增強(qiáng)。當(dāng)MOS器件溝道中的電場強(qiáng)度超過100千伏每厘米時，電子在兩次散射間獲得的能量將可能超過它在散射中失去的能量，從而使一部分電子的能量顯著高于熱平衡時的平均動能而成為熱電子。高能量的熱電子將嚴(yán)重影響MOS器件和電路的可靠性。熱電子效應(yīng)主要表現(xiàn)在以下三個方面，第一方面為熱電子向柵氧化層中發(fā)射，第二方面為熱電子效應(yīng)引起襯底電流，第三方面為熱電子效應(yīng)引起柵電流。
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