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科技
離子變形性與正負(fù)電荷、電子層、離子半徑、電子構(gòu)型、復(fù)雜陰離子有關(guān)。具體相關(guān)性如下：
1、電子層結(jié)構(gòu)相同的離子，隨著負(fù)電荷的減小和正電荷的增加而變形性減??；
2、電子層相同的離子，電子層越多，離子的半徑越大，變形性越大；
3、18電子構(gòu)型和9到17電子構(gòu)型的離子，其變形性比半徑相近電荷相同的8電子構(gòu)型離子大；
4、復(fù)雜陰離子的變形性不大，而且復(fù)雜陰離子中心離子氧化數(shù)越高，變形性越小。
