什么是本征點(diǎn)缺陷
什么是本征點(diǎn)缺陷
本征半導(dǎo)體:完全純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體或I型半導(dǎo)體。硅和鍺都是四價(jià)元素,其原子核最外層有四個(gè)價(jià)電子。它們都是由同一種原子構(gòu)成的“單晶體”,屬于本征半導(dǎo)體。本征點(diǎn)缺陷:半導(dǎo)體中的兩種載流子:自由電子和空穴。在熱力學(xué)溫度零度和沒(méi)有外界能量激發(fā)時(shí),價(jià)電子受共價(jià)鍵的束縛,晶體中不存在自由運(yùn)動(dòng)的電子,半導(dǎo)體是不能導(dǎo)電的。由于空穴的存在,臨近共價(jià)鍵中的價(jià)電子很容易跳過(guò)去填補(bǔ)這個(gè)空穴,從而使空穴轉(zhuǎn)移到臨近的共價(jià)鍵中去,而后,新的空穴又被其相鄰的價(jià)電子填補(bǔ),這一過(guò)程持續(xù)下去,就相當(dāng)于空穴在運(yùn)動(dòng)。帶負(fù)電荷的價(jià)電子。
導(dǎo)讀本征半導(dǎo)體:完全純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體或I型半導(dǎo)體。硅和鍺都是四價(jià)元素,其原子核最外層有四個(gè)價(jià)電子。它們都是由同一種原子構(gòu)成的“單晶體”,屬于本征半導(dǎo)體。本征點(diǎn)缺陷:半導(dǎo)體中的兩種載流子:自由電子和空穴。在熱力學(xué)溫度零度和沒(méi)有外界能量激發(fā)時(shí),價(jià)電子受共價(jià)鍵的束縛,晶體中不存在自由運(yùn)動(dòng)的電子,半導(dǎo)體是不能導(dǎo)電的。由于空穴的存在,臨近共價(jià)鍵中的價(jià)電子很容易跳過(guò)去填補(bǔ)這個(gè)空穴,從而使空穴轉(zhuǎn)移到臨近的共價(jià)鍵中去,而后,新的空穴又被其相鄰的價(jià)電子填補(bǔ),這一過(guò)程持續(xù)下去,就相當(dāng)于空穴在運(yùn)動(dòng)。帶負(fù)電荷的價(jià)電子。
本征半導(dǎo)體:完全純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體或I型半導(dǎo)體。硅和鍺都是四價(jià)元素,其原子核最外層有四個(gè)價(jià)電子。它們都是由同一種原子構(gòu)成的“單晶體”,屬于本征半導(dǎo)體。本征點(diǎn)缺陷:半導(dǎo)體中的兩種載流子:自由電子和空穴。在熱力學(xué)溫度零度和沒(méi)有外界能量激發(fā)時(shí),價(jià)電子受共價(jià)鍵的束縛,晶體中不存在自由運(yùn)動(dòng)的電子,半導(dǎo)體是不能導(dǎo)電的。由于空穴的存在,臨近共價(jià)鍵中的價(jià)電子很容易跳過(guò)去填補(bǔ)這個(gè)空穴,從而使空穴轉(zhuǎn)移到臨近的共價(jià)鍵中去,而后,新的空穴又被其相鄰的價(jià)電子填補(bǔ),這一過(guò)程持續(xù)下去,就相當(dāng)于空穴在運(yùn)動(dòng)。帶負(fù)電荷的價(jià)電子
什么是本征點(diǎn)缺陷
本征半導(dǎo)體:完全純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體或I型半導(dǎo)體。硅和鍺都是四價(jià)元素,其原子核最外層有四個(gè)價(jià)電子。它們都是由同一種原子構(gòu)成的“單晶體”,屬于本征半導(dǎo)體。本征點(diǎn)缺陷:半導(dǎo)體中的兩種載流子:自由電子和空穴。在熱力學(xué)溫度零度和沒(méi)有外界能量激發(fā)時(shí),價(jià)電子受共價(jià)鍵的束縛,晶體中不存在自由運(yùn)動(dòng)的電子,半導(dǎo)體是不能導(dǎo)電的。由于空穴的存在,臨近共價(jià)鍵中的價(jià)電子很容易跳過(guò)去填補(bǔ)這個(gè)空穴,從而使空穴轉(zhuǎn)移到臨近的共價(jià)鍵中去,而后,新的空穴又被其相鄰的價(jià)電子填補(bǔ),這一過(guò)程持續(xù)下去,就相當(dāng)于空穴在運(yùn)動(dòng)。帶負(fù)電荷的價(jià)電子。
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