吸收電容在電路中起的作用類似于低通濾波器，可以吸收掉尖峰電壓。通常用在有絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），消除由于母排的雜散電感引起的尖峰電壓，避免絕緣柵雙極型晶體管的損壞。

雙面金屬化膜內(nèi)串結(jié)構(gòu)、特別的內(nèi)部設(shè)計(jì)和端面噴金技術(shù)，使電容具低感抗，多條引線設(shè)計(jì)，可承受更高紋波電流，高du/dv以及高過壓能力。用于各類IGBT緩沖線路突波吸收，各類高頻諧振線路。

電容結(jié)構(gòu): 雙層金屬化膜，內(nèi)部串聯(lián)結(jié)構(gòu)。

封裝: 阻燃塑膠外殼，環(huán)氧樹脂封裝，符合(UL94V-0 )標(biāo)準(zhǔn).

尺寸: 適合于各種IGBT保護(hù)。